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國(guó)巨高容值貼片電容MLCC取代鉭電容

臺(tái)灣國(guó)巨公司(Yageo)日前宣布,成功開(kāi)發(fā)X5R 1210 100μF(微法拉)高容值積層陶瓷電容(MLCC)。這是國(guó)巨公司于2005年7月起獲得2,200萬(wàn)元補(bǔ)助金,執(zhí)行“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局“主導(dǎo)性新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)輔導(dǎo)計(jì)劃”的研究成果,該計(jì)劃已于2006年底結(jié)案。http://m.qllpgs.com.cn

國(guó)巨公司MLCC研發(fā)技術(shù)中心協(xié)理胡慶利博士表示:“X5R 1210 100μF積層陶瓷電容運(yùn)用了多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù),包括奈米粉體覆蓋、內(nèi)埋式電極、精密印刷、低溫端電極等。藉由整合國(guó)巨研發(fā)團(tuán)隊(duì)資源以及工研院材化所、臺(tái)大材料所的研發(fā)能力,在高容值MLCC產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)上,具備前所未有的指標(biāo)意義。”

他解釋說(shuō),所謂高容值MLCC的定義是,其電容值大于1μF,以及介電層厚度小于4微米。而這顆1210 100μF產(chǎn)品的介電層厚度為1.7~1.8微米,堆棧數(shù)高達(dá)八百余層,對(duì)國(guó)巨來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō),是一重要的技術(shù)突破。而針對(duì)MLCC目前朝向小型化與高電容密度的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,胡慶利表示,透過(guò)此計(jì)劃所累積的技術(shù)將有助于國(guó)巨未來(lái)開(kāi)發(fā)出更高階的產(chǎn)品。但就市場(chǎng)應(yīng)用來(lái)看,胡慶利指出,100μF高容值MLCC可應(yīng)用于液晶電視、液晶顯示器、電源供應(yīng)器,及低功耗的手持式消費(fèi)性電子產(chǎn)品。目前,100μF的高容值電容市場(chǎng)是鉭質(zhì)電容主導(dǎo),而X5R 1210 100μF積層陶瓷電容溫度性穩(wěn)定較高,在-55℃至85℃的工作溫度范圍內(nèi),誤差值僅為±15%,生產(chǎn)良率穩(wěn)定,長(zhǎng)期來(lái)看有可能在未來(lái)取代鉭質(zhì)電容市場(chǎng)需求。

但是,考慮成本效益與目前的市場(chǎng)需求,國(guó)巨公司積層陶瓷電容事業(yè)部副總經(jīng)理胡湘麒表示,從市場(chǎng)需求來(lái)看,1210 100μF并不會(huì)是該公司今年的重點(diǎn)。另一顆日前推出的小尺寸0603 10μF產(chǎn)品,是以計(jì)算機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用為主,才會(huì)是國(guó)巨今年高容值MLCC產(chǎn)品的重點(diǎn)。0603 10μF產(chǎn)品的介電層厚度為1.2微米,堆棧層數(shù)為三百多層;就介電層厚度的技術(shù)指標(biāo)來(lái)看,亦是一顆高階組件。

胡慶利表示,國(guó)巨仍將持續(xù)開(kāi)發(fā)更高階的高容產(chǎn)品,并同時(shí)亦會(huì)再積極爭(zhēng)取經(jīng)濟(jì)部的相關(guān)研發(fā)計(jì)劃,除高容外,高壓、高頻MLCC組件的開(kāi)發(fā)都有可能是下一階段的提案方向。國(guó)巨電容一級(jí)代理商——鑫沐電子隨時(shí)關(guān)注國(guó)巨最新新聞動(dòng)態(tài)!

 

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